GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор

5821,20 ₽

Артикул: 61f67144ae8b Категория:

      Описание

      GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175 C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Массивы и Модули

      Детали
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      7вывод(-ов)
      Напряжение Коллектор-Эмиттер

      1.2кВ
      Стандарт Корпуса Транзистора

      Module
      Рассеиваемая Мощность

      746Вт
      Полярность Транзистора

      Двойной N Канал
      DC Ток Коллектора

      230А
      Наименование

      GD150HFY120C1S, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 230 А, 2 В, 746 Вт, 1.2 кВ, Module