FDS6670A, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 30 В, 8 мОм, 10 В, 1.8 В

85,00 

Артикул: d7a510272a7b Категория:

Описание

FDS6670A, МОП-транзистор, N Канал, 13 А, 30 В, 8 мОм, 10 В, 1.8 ВThe FDS6670A is a single N-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

• Fast switching speed
• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Детали
Бренд

ON SEMICONDUCTOR

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

13А